儘管其長期延長的10NM工藝節點仍在深層矽雜草中陷入困境，但英特爾的首席工程辦公室對公司在未來的7NM光刻攝影方面的進步充滿信心。
在倫敦的納斯達克投資者會議上，穆爾西·魯杜奇塔拉（Murthy Renduchintala）在納斯達克投資者會議上再次談到了英特爾的高性能芯片的問題降至10nm級別，以及它如何“清楚地低估了從14nm縮小到10NM節點的縮小挑戰” 。他還不可避免地重複了英特爾的斷言，即明年這個時候它將將10nm芯片納入我們的台式PC，儘管這是遇到的麻煩，但它已經使節點功能功能了，“功能，性能和晶體管密度目標……仍然是……相同。”
但是，鑑於伴隨其最新努力使主要過程節點縮小的所有問題，您可能會假設隨後的晶體管節點將被類似地推出，以便為10nm生成騰出空間。但是Renduchintala表示，英特爾希望向前推進，並使7NM處理器與最初規定的內部計劃相同的時間範圍內發布。
當被問及對下一個過程的所有延誤對朝著7nm Renduchintala轉變的影響時，很樂意緩解任何對敲門延誤的擔憂最近的投資者活動。
Renduchintala解釋說：“好吧，7nm是一個獨立的團隊，並且在很大程度上是獨立的努力。” “而且我們對7nm的進度感到非常滿意- 實際上對我們在7nm上的進度感到非常滿意- 我認為我們已經從10nm的經驗中汲取了很多課程，因為我們定義了這一點，並定義了晶體管之間的不同優化點密度，功率和性能，並安排可預測性。”
英特爾的轉移到7nm的遷移率不那麼積極，在10nm左右，過於激進的比例是一個大問題之一。它試圖達到2.7倍的擴展因子，並且一直在嘗試使用老式的圖案技術來做到這一點。使用7nm，它將使用較新的極端紫外線（EUV）技術來對其少年晶體管進行模型，並隨著縮小的縮小而轉移回到更輕鬆的2倍縮放係數。
Renduchintala說：“我要說的是，當您看7nm時，對我們來說，這確實是一個時間點，我們將使EUV重新回到製造矩陣中。因此，我認為這將使我們能夠回到我們真正談論的傳統摩爾法律節奏。在沒有EUV的情況下，14和10nm實際上是關於雙重圖案和冷模式的。”
AMD的目標是在明年年初將其首個7nm產品在市場上，其真正的EUV支持的7nm+節點於2020年到達。英特爾的可能性能夠以自己的7nm EUV流程能夠趕上2020年的Mark，這很小，但後來我們不知道英特爾最初計劃何時享受其第一位數字光刻的生活……
