在AMD的下一代使用7nm設計之後，TSMC已將其下一個過程節點取消Ryzen 3000處理器和7nm+ EUV設計將用於禪3 CPU在2020年。你能猜測它是什麼嗎？是的，這次我們在談論6nm euv。
現在，如果您開始感到令人毛骨悚然的感覺，那可能會更像是營銷的名稱更改，而不是晶體管大小的真正變化 - 類似於14nm至12nm之間的轉換 - 然後我就在那裡與你。畢竟，TSMC聲稱新的光刻將與現有7NM Tech的設計規則完全兼容，因此可以很快地迭代基於先前光刻的產品。
也就是說，TSMC有望從6nm零件中提高邏輯密度約18％，這可能表明真正的現實世界僵局。這是TSMC直到明年第一季度才能達到風險產量的事實。儘管密度提升似乎確實與從基於EUV的7nm+設計，所以我仍然對7nm+和6nm之間的實際區別有些困惑。尤其是考慮到TSMC的5NM節點目前已經處於風險生產狀態，應該出現在6nm之前……這些晶體管數量開始對我失去所有意義。
簡短的公告文章已出現在不可行的數字網站，除了說TSMC通過新的生產過程既針對高性能計算和GPU，又沒有更多的細節。鑑於時間安排，並且期望Zen 3將基於7nm+，AMD隨後的GPU和CPU幾代人可能會在2021年發貨時出現出血的邊緣節點。無論是6nm還是5nm I，是否出血邊緣。 '我不確定。
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雖然這可能太早了AMD Navi刷新明年，這將使Zen 3和Navi 20同時坐在同一7nm+ EUV光刻上。從所有方面來看，這本身就是一個令人印象深刻的節點……儘管這也引起了我的頭痛。
有關TSMC的7nm+設計的最新故事商業時間表明，通過利用EUV技術，生產過程將增加晶體管密度約為20％。這就是圍繞6NM EUV設計提供的內容，這使我質疑從7nm+到6nm的益處是什麼。
新的數字報告可能會感到困惑，而6nm的晶體管密度將超過18％7nm+而不是筆直的7nm光刻。這將使它變得更加令人興奮的技術顛簸，但除了純粹的營銷決定之外，6nm和7nm+節點之間的區別實際上很少，無法與競爭的新流程設計相抵觸。
畢竟，TSMC並不孤單地將生命的地獄混淆為流程節點的進步。三星剛剛宣布5NM EUV設計已完成並準備好進行客戶抽樣。而且它也與合作夥伴合作，在6NM EUV節點上。同時，其7NM EUV設計將於明年發布，據報導，NVIDIA以發射夥伴的身份加入。
這意味著明年三星將在各種數量和風險生產階段製造7nm，6nm和5nm的零件。從外觀上看，它們都將是IP兼容的，因此合作夥伴可以為一個人設計，並且很容易在整個矽生態系統中遷移。
據報導，三星的5NM EUV設計將在7nm EUV過程中增加25％的邏輯密度，但是誰知道6nm會提供什麼……也許18％？
無論發生什麼情況，NVIDIA似乎都對三星的新過程充滿信心，並與TSMC一起使用AMD，我們可能會在明年的7nm Battle Royale，甚至是6nm的戰鬥中。或5nm。我需要躺下。
*標題圖像Fritzchens Fritz
