三星宣布已開始大規模生產其第五代V-NAND內存技術。這種快速的內存技術可以達到高達1.4Gbps的速度，並具有90多層數據存儲單元。
除了公告外，三星還取笑了未來的QLC（四級單元）產品。這些高密度的NAND芯片最初可能僅適用於企業，但是在線上，它們有可能被貼在三星V-NAND陣容的低端，以在廉價的硬盤驅動器和快速但昂貴，但昂貴，但昂貴，昂貴，昂貴，昂貴，昂貴，但又昂貴，昂貴，但又昂貴，但SSD。
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同時，第五代256GB V-NAND是“ Toggle DDR 4.0”界面的首次使用，該界面是一種標準，用於提高異步NAND的傳輸速度，讓我們讓新的內存技術達到比上一台更快的速度40％ 64層技術。這使其可以輕鬆過去的v-nand Tech的轉移速度限制三星970 EVO SSD， 例如。
這對來自內存巨頭的下一代遊戲SSD意味著什麼？三星正在吹捧閱讀速度的改進，並且在第四代NAND上提高了30％的速度，因此與當今市場上最好的M.2驅動器相比，這些新的V-NAND芯片也可以使一些非常快速的SSD造成一些快速的SSD。
該公司在新的V-NAND芯片中利用電荷陷阱單元 - 拋棄後Micron採用的芯片相同英特爾與浮網細胞。每個單元格都能存儲三位（TLC），但是三星也“準備引入” QLC內存技術，該QLC內存技術可以存儲四個位。這Intel-Micron合資企業還宣布了自己的QLC SSD- 據說已經發貨了。
隨著每個細胞的數量增加，可靠性會降低。這就是為什麼TLC 3D NAND經常位於MLC（多級單元格）下方，而SLC（單級單元格）驅動器中的產品堆棧中的驅動器。但是，TLC的好處以及即將成為QLC的好處是，它們將在同一狹窄的模具空間內提供更高的密度。有一天，一旦製造複雜性和價格下跌，QLC即使在我們不起眼的遊戲鑽機中也可以取代硬盤驅動器。
隨著三星現在正在增加第五代V-NAND芯片的數量生產，新一代的客戶SSD可能會在年底之前開始。
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